이것은 반도체 공정 요약의 두 번째 간행물입니다.
이전 포스트에서는 반도체 전공정의 일부인 웨이퍼, 산화, 포토 공정에 대해 살펴보았습니다.
이번에는 식각, 박막 및 금속 배선 공정과 같은 일부 전공정과 후공정 EDS 및 패키징 공정을 살펴보겠습니다.
다음 링크는 웨이퍼, 산화 및 사진 공정에 대한 정보를 제공합니다.
반도체 공정 요약 – 1 (Wafer, Oxidation, Photo Process, Front Process, Back Process, 반도체 관련 재고, Photo Process 관련 재고) (tistory.com)
앞선 포스팅에서 설명한 것처럼 반도체 공정은 전면 공정과 후면 공정으로 나뉜다.
전 공정은 1) 웨이퍼 공정, 2) 산화 공정, 3) 포토 공정, 4) 식각 공정, 5) 박막(증착 및 이온 주입 공정), 6) 금속 배선 공정으로 구성되며, 후 공정은 7 ) EDS 공정, 8) 패키징 공정이 있다.
지난번 포스팅에 이어서 4) 식각 공정부터 시작하겠습니다.
- 4) 에칭 공정
사진 공정에서 그려진 회로 이외의 불필요한 회로를 탈피하는 공정보지마. 습식식각(용액 이용)과 건식식각(반응성 기체, 이온 등 이용) 중 건식식각은 가격이 비싸고 까다롭지만 정교한 식각이 가능해 수율을 높이기 위해 점차 확대되고 있다.
※ 참조 : 반도체 특수 가스 에칭 가스 – 불필요한 부분을 녹이는 가스. 기존에는 화학 수용액을 사용했으나 반도체 정밀도가 높아지면서 건식 에칭으로 시작하십시오. (드라이에칭 – 가스에칭, 플라즈마에칭, 이온빔에칭으로 구분)
에칭 후 포토레지스트가 제거되는데 이를 스트리핑이라고 합니다.
이해하기 쉽도록 에칭 과정을 사진으로 첨부하겠습니다.
Etching 공정 관련 인벤토리가 빠지면 안 된다?!
?!
간단하게 합시다.
- 5) 박막(증착 및 이온 주입 공정)
회로를 연결하고 분리하는 박막 형성 공정수업 반도체에 필요한 전기적 특성을 제공하는 이온 주입 공정로 나누어진다
표피회로 사이의 전기 신호를 연결 금속층그리고 하위 계층 회로와 상위 계층 회로가 분리되어 있어 서로 영향을 주지 않습니다.
절연 필름분리되다.
이온 주입 공정순수한 반도체인 은은 실리콘으로 구성되어 있으며 전기를 전도하지 않습니다.
불순물인 이온을 첨가하여 전류를 흐르게 하는 과정보지마.
※ 참조 : 전구체(반도체 증착재료인 전구체) – 전구체(박막을 증착하는데 사용되는 물질)로서 웨이퍼에 미세회로를 제조할 때 금속박막을 코팅하는데 사용되는 화합물을 말하며, 높은 증기압, 고순도, 화학적 안정성, 액체 상태, 두께 제어 능력을 갖추어야 하기 때문에 개발이 어려운 소재입니다.
최근에는 고유전율 물질이 전구체로 사용되고 있으며, 고유전율 물질은 DRAM용 커패시터* 물질로 사용되고 있다.
k 값이 높을수록 절연체 특성이 높아집니다.
* 커패시터: 전기를 저장할 수 있는 장치, 커패시터라고도 합니다.
배터리와 달리 용량이 작고 충방전 시간이 짧다.
전기 신호를 주거나 데이터를 저장할 때 사용합니다.
※ 참조 : Low-k(저유전율)와 High-k(고유전율) 비교 – k-값 4를 기준으로 k-값이 4 이하인 물질은 저유전율 물질이며 k-값이 있는 물질 4 이상의 값은 물질 high-k로 분류됩니다.
K 값은 재료가 전하를 얼마나 잘 저장할 수 있는지를 나타냅니다.
전구체 공급업체로는 SK머티리얼즈, 원익머티리얼즈, 효성, 후성 등이 있다.
- 6) 금속 배선 공정
반도체를 동작시키기 위해서는 반도체의 회로 패턴을 따라 박막 위에 금속선을 설치하는 것이 하나의 공정이다.
(전류가 흐르는 경로 생성)
- 7) EDS 프로세스
전 공정을 거쳐 제조된 반도체 칩은 웨이퍼 상태에서 테스트된다.
전기 기능 점검 절차보지마. 웨이퍼에서 생산된 칩에 대한 작업 칩의 비율을 수율이라고 합니다.
- 8) 포장공정
좋은 제품으로 판단된 반도체 칩을 전자기기나 그 패키징에 들어갈 수 있는 부품의 크기에 맞게 재단하는 공정입니다.
참고 반도체 마이크로프로세싱그것에 대해 더 설명하겠습니다.
반도체 공정에서 “나노미터”는 반도체에서 전기 회로의 선폭입니다.
을 참고하여. 1nm(나노미터)는 10억분의 1이기 때문에 5nm 공정이란 반도체에 5억분의 1미터 정도의 전기회로를 새길 수 있을 만큼 정밀한 기술로 반도체를 만들었다는 뜻이다.
나노프로세싱은 반도체 회로 폭이 100nm 미만인 반도체 공정입니다.
예를 들어 30나노 공정 이렇게 하면 반도체 소자에 들어가는 회로의 선폭이 30nm로 머리카락 굵기의 1/4000 정도다.
나노 공정이 미세화될수록 칩 크기를 줄일 수 있어 원가 경쟁력을 높일 수 있는 장점이 있다.
반도체 또는 반도체 칩이라고 할 때 웨이퍼로 만든 집적 회로(IC)를 의미합니다.
집적회로는 웨이퍼를 칩이라는 작은 정사각형 모양으로 나누고 거기에 전기회로를 쓰고 트랜지스터를 삽입해 만든다.
공정이 미세할수록 칩 크기가 작아지고 웨이퍼로 더 많은 집적회로를 만들 수 있고 더 많은 트랜지스터를 내장할 수 있어 반도체 공정이 미세화될수록 생산 효율이 높아진다.
따라서 반도체 공정의 미세화가 중요하다.
지금까지 반도체 공정에 대해 간략하게 살펴보았습니다.
반도체 공정의 기본 개념을 이해하는데 많은 도움이 되었을 것입니다.
반도체 공정에 대한 이해를 바탕으로 반도체주 여러분의 건승을 기원합니다.